На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MBRD1045T4G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Пряма напруга | UF | 840 мВI = 20A |
Зворотна напруга | UR | <45 В |
Прямий струм | IF | <10 А |
Зворотний струм | IR | 100 мкАU = 45V |
Частота | f | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Технологія діода | Технологія | Schottky |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery |
Серія діодів | Серія | SWITCHMODE™ |