IDB10S60C

IDB10, IDB10S60C

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIDB10S60C
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Пряма напруга
UF
1.7 ВI = 10A
Зворотна напруга
UR
<600 В
Прямий струм
IF
<10 А
Зворотний струм
IR
140 мкАU = 600V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Ємність діоду
CD
480 пФ
Технологія діода
Технологія
Schottky
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery
Серія діодів
Серія
thinQ!™