На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | GI850/4 | GI850-E3/54 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DO-201AD, Axial | |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |
Пряма напруга | UF | 1.25 ВI = 3A | |
Зворотна напруга | UR | <50 В | |
Прямий струм | IF | <3 А | |
Зворотний струм | IR | 10 мкАU = 50V | |
Частота | f | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 200 нс | |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |