FESB8AT-E3/81

FESB8, FESB8AT-E3/81, FESB8ATHE3/81, FESB8BT-E3/45, FESB8BT-E3/81, FESB8BTHE3/45, FESB8BTHE3/81, FESB8CT-E3/81, FESB8CTHE3/45, FESB8CTHE3/81, FESB8DT-E3/45, FESB8DT-E3/81, FESB8DTHE3/45, FESB8DTHE3/81, FESB8FT-E3/81, FESB8FTHE3/45, FESB8FTHE3/81, FESB8GT-E3/45, FESB8GT-E3/81, FESB8GTHE3/45, FESB8GTHE3/81, FESB8HT-E3/81, FESB8HTHE3/45, FESB8HTHE3/81, FESB8JT-E3/45, FESB8JT-E3/81, FESB8JTHE3/45, FESB8JTHE3/81

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFESB8AT-E3/81FESB8ATHE3/81FESB8BT-E3/45FESB8BT-E3/81FESB8BTHE3/45FESB8BTHE3/81FESB8CT-E3/81FESB8CTHE3/45FESB8CTHE3/81FESB8DT-E3/45FESB8DT-E3/81FESB8DTHE3/45FESB8DTHE3/81FESB8FT-E3/81FESB8FTHE3/45FESB8FTHE3/81FESB8GT-E3/45FESB8GT-E3/81FESB8GTHE3/45FESB8GTHE3/81FESB8HT-E3/81FESB8HTHE3/45FESB8HTHE3/81FESB8JT-E3/45FESB8JT-E3/81FESB8JTHE3/45FESB8JTHE3/81
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Vishay/General Semiconductor
Пряма напруга
UF
950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A950 мВI = 8A1.3 ВI = 8A1.3 ВI = 8A1.3 ВI = 8A1.3 ВI = 8A1.3 ВI = 8A1.3 ВI = 8A1.3 ВI = 8A1.5 ВI = 8A1.5 ВI = 8A1.5 ВI = 8A1.5 ВI = 8A1.5 ВI = 8A1.5 ВI = 8A1.5 ВI = 8A
Зворотна напруга
UR
<50 В<50 В<100 В<100 В<100 В<100 В<150 В<150 В<150 В<200 В<200 В<200 В<200 В<300 В<300 В<300 В<400 В<400 В<400 В<400 В<500 В<500 В<500 В<600 В<600 В<600 В<600 В
Прямий струм
IF
<8 А
Зворотний струм
IR
10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 150V10 мкАU = 150V10 мкАU = 150V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 300V10 мкАU = 300V10 мкАU = 300V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 500V10 мкАU = 500V10 мкАU = 500V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс35 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс50 нс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery