ESH3B-E3/57T

ESH3, ESH3B-E3/57T, ESH3B-E3/9AT, ESH3BHE3/57T, ESH3BHE3/9AT, ESH3C-E3/57T, ESH3C-E3/9AT, ESH3CHE3/57T, ESH3CHE3/9AT, ESH3D-E3/57T, ESH3D-E3/9AT, ESH3DHE3/57T, ESH3DHE3/9AT

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрESH3B-E3/57TESH3B-E3/9ATESH3BHE3/57TESH3BHE3/9ATESH3C-E3/57TESH3C-E3/9ATESH3CHE3/57TESH3CHE3/9ATESH3D-E3/57TESH3D-E3/9ATESH3DHE3/57TESH3DHE3/9AT
Корпус мікросхеми
Корпус
DO-214AB, SMC
Виробник
Виробник
Vishay/General Semiconductor
Пряма напруга
UF
900 мВI = 3A
Зворотна напруга
UR
<100 В<100 В<100 В<100 В<150 В<150 В<150 В<150 В<200 В<200 В<200 В<200 В
Прямий струм
IF
<3 А
Зворотний струм
IR
5 мкАU = 100V5 мкАU = 100V5 мкАU = 100V5 мкАU = 100V5 мкАU = 150V5 мкАU = 150V5 мкАU = 150V5 мкАU = 150V5 мкАU = 200V5 мкАU = 200V5 мкАU = 200V5 мкАU = 200V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
40 нс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery