На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | CMS08(TE12L) | CMS08(TE12L,Q) | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 3-4E1A (M-Flat) | |
Виробник | Виробник | Toshiba | |
Пряма напруга | UF | 370 мВI = 1A | |
Зворотна напруга | UR | <30 В | |
Прямий струм | IF | <1 А | |
Зворотний струм | IR | 1.5 мАU = 30V | |
Частота | f | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Технологія діода | Технологія | Schottky | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |