На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | CMH08(TE12L,Q) | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 3-4E1A (M-Flat) |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Пряма напруга | UF | 1.3 ВI = 2A |
Зворотна напруга | UR | <400 В |
Прямий струм | IF | <2 А |
Зворотний струм | IR | 10 мкАU = 400V |
Частота | f | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 50 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery |