BYWB29-100-E3/45

BYWB29, BYWB29-100-E3/45, BYWB29-100-E3/81, BYWB29-100HE3/45, BYWB29-100HE3/81, BYWB29-150-E3/45, BYWB29-150-E3/81, BYWB29-150HE3/45, BYWB29-150HE3/81, BYWB29-200-E3/45, BYWB29-200-E3/81, BYWB29-200HE3/45, BYWB29-200HE3/81, BYWB29-50-E3/45, BYWB29-50-E3/81, BYWB29-50HE3/45, BYWB29-50HE3/81

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBYWB29-100-E3/45BYWB29-100-E3/81BYWB29-100HE3/45BYWB29-100HE3/81BYWB29-150-E3/45BYWB29-150-E3/81BYWB29-150HE3/45BYWB29-150HE3/81BYWB29-200-E3/45BYWB29-200-E3/81BYWB29-200HE3/45BYWB29-200HE3/81BYWB29-50-E3/45BYWB29-50-E3/81BYWB29-50HE3/45BYWB29-50HE3/81
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Vishay/General Semiconductor
Пряма напруга
UF
1.3 ВI = 20A
Зворотна напруга
UR
<100 В<100 В<100 В<100 В<150 В<150 В<150 В<150 В<200 В<200 В<200 В<200 В<50 В<50 В<50 В<50 В
Прямий струм
IF
<8 А
Зворотний струм
IR
10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 150V10 мкАU = 150V10 мкАU = 150V10 мкАU = 150V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
25 нс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery