BYT30G-400-TR

BYT30, BYT30G-400, BYT30G-400-TR, BYT30P-1000, BYT30P-400, BYT30PI-1000, BYT30PI-1000RG, BYT30PI-400RG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBYT30G-400BYT30G-400-TRBYT30P-1000BYT30P-400BYT30PI-1000BYT30PI-1000RGBYT30PI-400RG
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)SOD-93-2SOD-93-2DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Пряма напруга
UF
1.5 ВI = 30A1.5 ВI = 30A1.9 ВI = 30A1.5 ВI = 30A1.9 ВI = 30A1.9 ВI = 30A1.5 ВI = 30A
Зворотна напруга
UR
<400 В<400 В<1 кВ<400 В<1 кВ<1 кВ<400 В
Прямий струм
IF
<30 А
Зворотний струм
IR
35 мкАU = 400V35 мкАU = 400V100 мкАU = 1000V35 мкАU = 400V100 мкАU = 1000V100 мкАU = 1000V35 мкАU = 400V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвір
Тривалість періоду відновлення
tREC
100 нс100 нс165 нс100 нс165 нс165 нс100 нс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery