На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BYG23M-E3/TR | BYG23M-E3/TR3 | BYG23MHE3/TR | BYG23MHE3/TR3 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DO-214AC, SMA | |||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |||
Пряма напруга | UF | 1.7 ВI = 1A | |||
Зворотна напруга | UR | <1 кВ | |||
Прямий струм | IF | <1.5 А | |||
Зворотний струм | IR | 5 мкАU = 1000V | |||
Частота | f | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Тривалість періоду відновлення | tREC | 75 нс | |||
Технологія діода | Технологія | Avalanche | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||