BYG22

BYG22, BYG22A-E3/TR, BYG22A-E3/TR3, BYG22AHE3/TR, BYG22AHE3/TR3, BYG22B-E3/TR, BYG22B-E3/TR3, BYG22BHE3/TR, BYG22BHE3/TR3, BYG22D-E3/TR, BYG22D-E3/TR3, BYG22DHE3/TR, BYG22DHE3/TR3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBYG22A-E3/TRBYG22A-E3/TR3BYG22AHE3/TRBYG22AHE3/TR3BYG22B-E3/TRBYG22B-E3/TR3BYG22BHE3/TRBYG22BHE3/TR3BYG22D-E3/TRBYG22D-E3/TR3BYG22DHE3/TRBYG22DHE3/TR3
Корпус мікросхеми
Корпус
DO-214AC, SMA
Виробник
Виробник
Vishay/General Semiconductor
Пряма напруга
UF
1.1 ВI = 2A
Зворотна напруга
UR
<50 В<50 В<50 В<50 В<150 В<150 В<150 В<150 В<200 В<200 В<200 В<200 В
Прямий струм
IF
<2 А
Зворотний струм
IR
1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 150V1 мкАU = 150V1 мкАU = 150V1 мкАU = 150V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
25 нс
Технологія діода
Технологія
Avalanche
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery