BYG21

BYG21, BYG21K-E3/TR, BYG21K-E3/TR3, BYG21KHE3/TR, BYG21KHE3/TR3, BYG21M/54, BYG21M-E3/TR, BYG21M-E3/TR3, BYG21MHE3/TR, BYG21MHE3/TR3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBYG21K-E3/TRBYG21K-E3/TR3BYG21KHE3/TRBYG21KHE3/TR3BYG21M/54BYG21M-E3/TRBYG21M-E3/TR3BYG21MHE3/TRBYG21MHE3/TR3
Корпус мікросхеми
Корпус
DO-214AC, SMA
Виробник
Виробник
Vishay/General Semiconductor
Пряма напруга
UF
1.6 ВI = 1.5A
Зворотна напруга
UR
<800 В<800 В<800 В<800 В<1 кВ<1 кВ<1 кВ<1 кВ<1 кВ
Прямий струм
IF
<1.5 А
Зворотний струм
IR
1 мкАU = 800V1 мкАU = 800V1 мкАU = 800V1 мкАU = 800V1 мкАU = 1000V1 мкАU = 1000V1 мкАU = 1000V1 мкАU = 1000V1 мкАU = 1000V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
120 нс
Технологія діода
Технологія
Avalanche
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery