BYG20D-E3/TR3

BYG20, BYG20D-E3/TR, BYG20D-E3/TR3, BYG20DHE3/TR, BYG20DHE3/TR3, BYG20G-E3/TR, BYG20G-E3/TR3, BYG20GHE3/TR, BYG20GHE3/TR3, BYG20J/54, BYG20J-E3/TR, BYG20J-E3/TR3, BYG20JHE3/TR, BYG20JHE3/TR3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBYG20D-E3/TRBYG20D-E3/TR3BYG20DHE3/TRBYG20DHE3/TR3BYG20G-E3/TRBYG20G-E3/TR3BYG20GHE3/TRBYG20GHE3/TR3BYG20J/54BYG20J-E3/TRBYG20J-E3/TR3BYG20JHE3/TRBYG20JHE3/TR3
Корпус мікросхеми
Корпус
DO-214AC, SMA
Виробник
Виробник
Vishay/General Semiconductor
Пряма напруга
UF
1.4 ВI = 1.5A
Зворотна напруга
UR
<200 В<200 В<200 В<200 В<400 В<400 В<400 В<400 В<600 В<600 В<600 В<600 В<600 В
Прямий струм
IF
<1.5 А
Зворотний струм
IR
1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 400V1 мкАU = 400V1 мкАU = 400V1 мкАU = 400V1 мкАU = 600V1 мкАU = 600V1 мкАU = 600V1 мкАU = 600V1 мкАU = 600V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
75 нс
Технологія діода
Технологія
Avalanche
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery