На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BYG10D-E3/TR | BYG10D-E3/TR3 | BYG10DHE3/TR | BYG10DHE3/TR3 | BYG10G-E3/TR | BYG10G-E3/TR3 | BYG10GHE3/TR | BYG10GHE3/TR3 | BYG10J-E3/TR | BYG10J-E3/TR3 | BYG10JHE3/TR | BYG10JHE3/TR3 | BYG10K-E3/TR | BYG10K-E3/TR3 | BYG10KHE3/TR | BYG10KHE3/TR3 | BYG10M-E3/TR | BYG10M-E3/TR3 | BYG10MHE3/TR | BYG10MHE3/TR3 | BYG10Y-E3/TR | BYG10Y-E3/TR3 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DO-214AC, SMA | |||||||||||||||||||||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |||||||||||||||||||||
Пряма напруга | UF | 1.15 ВI = 1.5A | |||||||||||||||||||||
Зворотна напруга | UR | <200 В | <200 В | <200 В | <200 В | <400 В | <400 В | <400 В | <400 В | <600 В | <600 В | <600 В | <600 В | <800 В | <800 В | <800 В | <800 В | <1 кВ | <1 кВ | <1 кВ | <1 кВ | <1.6 кВ | <1.6 кВ |
Прямий струм | IF | <1.5 А | |||||||||||||||||||||
Зворотний струм | IR | 1 мкАU = 200V | 1 мкАU = 200V | 1 мкАU = 200V | 1 мкАU = 200V | 1 мкАU = 400V | 1 мкАU = 400V | 1 мкАU = 400V | 1 мкАU = 400V | 1 мкАU = 600V | 1 мкАU = 600V | 1 мкАU = 600V | 1 мкАU = 600V | 1 мкАU = 800V | 1 мкАU = 800V | 1 мкАU = 800V | 1 мкАU = 800V | 1 мкАU = 1000V | 1 мкАU = 1000V | 1 мкАU = 1000V | 1 мкАU = 1000V | 1 мкАU = 1600V | 1 мкАU = 1600V |
Частота | f | ||||||||||||||||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||||||||||||||||
Тривалість періоду відновлення | tREC | 4 мкс | |||||||||||||||||||||
Технологія діода | Технологія | Avalanche | |||||||||||||||||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns | |||||||||||||||||||||