На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAV103-7 | BAV103-TP | BAV103,115 | BAV103,135 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Mini MELF | LL-34, LLDS, MiniMELF, SOD80C | LL-34, LLDS, MiniMELF, SOD80C | |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Micro Commercial Co | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
Пряма напруга | UF | 1 ВI = 100mA | 1.25 ВI = 200mA | 1.25 ВI = 200mA | 1.25 ВI = 200mA |
Зворотна напруга | UR | <200 В | |||
Прямий струм | IF | <125 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА |
Зворотний струм | IR | 100 нАU = 200V | |||
Частота | f | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | (не задано) | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Ємність діоду | CD | (не задано) | 1.5 пФ | 5 пФ | 5 пФ |
Тривалість періоду відновлення | tREC | (не задано) | 50 нс | 50 нс | 50 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Small Signal =< 200ma | Fast Recovery | Fast Recovery | Fast Recovery |