На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAS19-7 | BAS19-7-F | BAS19-TP | BAS19,215 | BAS19,235 | BAS19LT1 | BAS19LT1G | BAS19LT3G | BAS19W-7 | BAS19W-7-F | BAS19WT-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes Inc | Micro Commercial Co | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc | Diodes Inc | Micro Commercial Co |
Пряма напруга | UF | 1.25 ВI = 200mA | ||||||||||
Зворотна напруга | UR | <100 В | <100 В | <100 В | <120 В | <100 В | <120 В | <120 В | <120 В | <100 В | <100 В | <100 В |
Прямий струм | IF | <200 мА | ||||||||||
Зворотний струм | IR | 100 нАU = 100V | ||||||||||
Частота | f | |||||||||||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | ||||||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Small Signal =< 200ma | ||||||||||