BAS116-7-F

BAS116, BAS116-7-F, BAS116,215, BAS116,235, BAS116E6327, BAS116E6433, BAS116H,115, BAS116LT1, BAS116LT1G, BAS116LT3G, BAS116T-7, BAS116T-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBAS116-7-FBAS116,215BAS116,235BAS116E6327BAS116E6433BAS116H,115BAS116LT1BAS116LT1GBAS116LT3GBAS116T-7BAS116T-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOD-123 Flat LeadsSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523
Виробник
Виробник
Diodes IncNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesNXP SemiconductorsON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncDiodes Inc
Пряма напруга
UF
1.25 ВI = 150mA
Зворотна напруга
UR
<85 В<75 В<75 В<80 В<80 В<75 В<75 В<75 В<75 В<85 В<85 В
Зворотний струм
IR
5 нАU = 75V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Ємність діоду
CD
2 пФ
Тривалість періоду відновлення
tREC
3 мкс3 мкс3 мкс1.5 мкс1.5 мкс3 мкс3 мкс3 мкс3 мкс3 мкс3 мкс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Standard Recovery >500nsStandard Recovery >500nsStandard Recovery >500nsStandard Recovery >500nsStandard Recovery >500nsStandard Recovery >500nsSmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200maStandard Recovery >500nsStandard Recovery >500ns