На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAL99-7 | BAL99-7-F | BAL99,215 | BAL99E6327 | BAL99E6433 | BAL99LT1 | BAL99LT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | ||
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes Inc | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Пряма напруга | UF | 1.25 ВI = 150mA | 1.25 ВI = 150mA | 1.25 ВI = 150mA | 1.25 ВI = 150mA | 1.25 ВI = 150mA | 1 ВI = 50mA | 1 ВI = 50mA |
Зворотна напруга | UR | <75 В | <75 В | <70 В | <80 В | <80 В | <70 В | <70 В |
Зворотний струм | IR | 2.5 мкАU = 75V | 2.5 мкАU = 75V | 1 мкАU = 70V | 1 мкАU = 70V | 1 мкАU = 70V | 2.5 мкАU = 70V | 2.5 мкАU = 70V |
Частота | f | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | (не задано) | (не задано) |
Ємність діоду | CD | 2 пФ | 2 пФ | 1.5 пФ | 1.5 пФ | 1.5 пФ | (не задано) | (не задано) |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 4 нс | 4 нс | 4 нс | 4 нс | 4 нс | (не задано) | (не задано) |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | ||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | Fast Recovery | Fast Recovery | Fast Recovery | Fast Recovery | Small Signal =< 200ma | Small Signal =< 200ma |