На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 8EWS12S | 8EWS12STR | 8EWS12STRL | 8EWS12STRPBF | 8EWS12STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Vishay/Semiconductors | Vishay/Semiconductors | Vishay/Semiconductors | Vishay IR | Vishay/Semiconductors |
Пряма напруга | UF | 1.1 ВI = 8A | 1.1 ВI = 8A | 1.1 ВI = 8A | 1.1 ВI = 10A | 1.1 ВI = 8A |
Зворотна напруга | UR | <1.2 кВ | ||||
Прямий струм | IF | <8 А | <8 А | <8 А | <10 А | <8 А |
Зворотний струм | IR | 50 мкАU = 1200V | 50 мкАU = 1200V | 50 мкАU = 1200V | 500 мкАU = 1200V | 50 мкАU = 1200V |
Частота | f | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | ||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Standard Recovery >500ns | ||||