1N5822-E3/51

1N5822, 1N5822/54, 1N5822-E3/51, 1N5822-E3/54, 1N5822-E3/73, 1N5822G, 1N5822RL, 1N5822RLG, 1N5822-T, 1N5822-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр1N5822/541N5822-E3/511N5822-E3/541N5822-E3/731N5822G1N5822RL1N5822RLG1N5822-T1N5822-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
DO-201AD, Axial
Виробник
Виробник
Vishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorON SemiconductorSTMicroelectronicsON SemiconductorDiodes IncMicro Commercial Co
Пряма напруга
UF
525 мВI = 3A
Зворотна напруга
UR
<40 В
Прямий струм
IF
<3 А
Зворотний струм
IR
2 мАU = 40V2 мАU = 40V2 мАU = 40V2 мАU = 40V2 мАU = 40V2 мАU = 40V2 мАU = 40V2 мАU = 40V500 мкАU = 40V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Ємність діоду
CD
190 пФ
Технологія діода
Технологія
Schottky
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery