На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 1N5821-E3/54 | 1N5821G | 1N5821RL | 1N5821RLG | 1N5821-T | 1N5821-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DO-201AD, Axial | |||||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc | Micro Commercial Co |
Пряма напруга | UF | 500 мВI = 3A | |||||
Зворотна напруга | UR | <30 В | |||||
Прямий струм | IF | <3 А | |||||
Зворотний струм | IR | 2 мАU = 30V | 2 мАU = 30V | 2 мАU = 30V | 2 мАU = 30V | 2 мАU = 30V | 500 мкАU = 30V |
Частота | f | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||
Ємність діоду | CD | 190 пФ | |||||
Технологія діода | Технологія | Schottky | |||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||||