На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 1N5820-E3/54 | 1N5820-E3/73 | 1N5820G | 1N5820RL | 1N5820RLG | 1N5820-T | 1N5820-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DO-201AD, Axial | ||||||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ON Semiconductor | Diodes Inc | Micro Commercial Co |
Пряма напруга | UF | 475 мВI = 3A | ||||||
Зворотна напруга | UR | <20 В | ||||||
Прямий струм | IF | <3 А | ||||||
Зворотний струм | IR | 2 мАU = 20V | 2 мАU = 20V | 2 мАU = 20V | 2 мАU = 20V | 2 мАU = 20V | 2 мАU = 20V | 500 мкАU = 20V |
Частота | f | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||||
Ємність діоду | CD | 190 пФ | ||||||
Технологія діода | Технологія | Schottky | ||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | ||||||