На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 1N5811 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Axial |
Виробник | Виробник | Microsemi |
Пряма напруга | UF | 875 мВI = 4A |
Зворотна напруга | UR | <150 В |
Прямий струм | IF | <6 А |
Зворотний струм | IR | 5 мкАU = 150V |
Частота | f | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Тривалість періоду відновлення | tREC | 30 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery |