1N5408-E3/54

1N5408, 1N5408-E3/51, 1N5408-E3/54, 1N5408-E3/73, 1N5408G, 1N5408G-T, 1N5408RL, 1N5408RLG, 1N5408-T, 1N5408T-G, 1N5408-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр1N5408-E3/511N5408-E3/541N5408-E3/731N5408G1N5408G-T1N5408RL1N5408RLG1N5408-T1N5408T-G1N5408-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
DO-201AD, Axial
Виробник
Виробник
Vishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorON SemiconductorDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncComchip TechnologyMicro Commercial Co
Пряма напруга
UF
1.2 ВI = 3A1.2 ВI = 3A1.2 ВI = 3A1 ВI = 3A1.1 ВI = 3A1 ВI = 3A1 ВI = 3A1 ВI = 3A1 ВI = 3A1 ВI = 3A
Зворотна напруга
UR
<1 кВ
Прямий струм
IF
<3 А
Зворотний струм
IR
5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Ємність діоду
CD
30 пФ30 пФ30 пФ30 пФ40 пФ30 пФ30 пФ25 пФ30 пФ30 пФ
Тривалість періоду відновлення
tREC
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)2 мкс(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Standard Recovery >500ns