1N5402-E3/51

1N5402, 1N5402/54, 1N5402-E3/51, 1N5402-E3/54, 1N5402-E3/73, 1N5402G, 1N5402G-T, 1N5402RL, 1N5402RLG, 1N5402-T, 1N5402-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр1N5402/541N5402-E3/511N5402-E3/541N5402-E3/731N5402G1N5402G-T1N5402RL1N5402RLG1N5402-T1N5402-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
DO-201AD, Axial
Виробник
Виробник
Vishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorON SemiconductorDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncMicro Commercial Co
Пряма напруга
UF
1.2 ВI = 3A1.2 ВI = 3A1.2 ВI = 3A1.2 ВI = 3A1 ВI = 3A1.1 ВI = 3A1 ВI = 3A1 ВI = 3A1 ВI = 3A1 ВI = 3A
Зворотна напруга
UR
<200 В
Прямий струм
IF
<3 А
Зворотний струм
IR
5 мкАU = 200V5 мкАU = 200V5 мкАU = 200V5 мкАU = 200V10 мкАU = 200V5 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V5 мкАU = 200V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Ємність діоду
CD
30 пФ30 пФ30 пФ30 пФ30 пФ40 пФ30 пФ30 пФ50 пФ30 пФ
Тривалість періоду відновлення
tREC
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)2 мкс(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Standard Recovery >500ns