100BGQ045

100BGQ045, 100BGQ045J

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр100BGQ045J
Корпус мікросхеми
Корпус
PowerTab™, PowIRtab™ (J)
Виробник
Виробник
Vishay/Semiconductors
Пряма напруга
UF
730 мВI = 100A
Зворотна напруга
UR
<45 В
Прямий струм
IF
<100 А
Зворотний струм
IR
1 мАU = 45V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Технологія діода
Технологія
Schottky
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery