100BGQ030J

100BGQ030, 100BGQ030J

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр100BGQ030J
Корпус мікросхеми
Корпус
PowerTab™, PowIRtab™ (J)
Виробник
Виробник
Vishay/Semiconductors
Пряма напруга
UF
580 мВI = 100A
Зворотна напруга
UR
<30 В
Прямий струм
IF
<100 А
Зворотний струм
IR
2.4 мАU = 30V
Частота
f
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Технологія діода
Технологія
Schottky
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery