ГД508А

ГД508, ГД508А, ГД508Б

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрГД508АГД508Б
Пряма напруга
UF
<700 мВпри If = 10 мА<650 мВпри If = 10 мА
Зворотна напруга
UR
<8 В
Прямий струм
IF
<10 мА
Прямий імпульсний струм
IF-i
<30 мА
Зворотний струм
IR
<60 мкА<100 мкА
Зворотна імпульсна напруга
UR-i
<10 В
Ємність діоду
CD
0.75 пФпри U = 0.5 В
Тривалість періоду відновлення
tREC
<20 нспри Iп/Uо = 10/5 мА/В
Величина електричного заряду, що необхідний для перемикання діоду
QRR
при Iп/Uо = 10/5 мА/В