На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2П922А | 2П922Б | 2П922В | 2П922А-1 | 2П922Б-1 | 2П922В-1 | 2П922Г-1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Коефіцієнт шума | NF | |||||||
Потужність | P | <60 Вт | ||||||
Крутизна характеристики польового транзистора | S1-S2/I | 1000 ~ 2100при Iс = 1 А | ||||||
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку | IG | 5 нА | 5 нА | 1 нАпри Uсз = 30В | 5 нА | 5 нАпри Uсз = 30В | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2 нФ | ||||||
Прохідна ємність | C12 | 1.2 нФ | 1.2 нФ | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Постійна напруга між затвором та стоком | UGD | <100 В | ||||||
Постійна напруга між затвором та витоком | UGS | <30 В | ||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <10 А | <10 А | <5 А | <10 А | <10 А | <5 А | <10 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <200 мОм | <400 мОм | <1 Ом | <200 мОм | <400 мОм | <1 Ом | <120 мОм |
Імпульсний струм стоку | IDSS-I | <20 А | ||||||