КП909

КП909, КП909А, КП909Б, КП909В

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКП909АКП909БКП909В
Коефіцієнт шума
NF
Потужність
P
<50 Вт
Крутизна характеристики польового транзистора
S1-S2/I
350 ~ 900при Iс = 0.9 А
Початковий струм стоку польового транзистора
I01-I02
1 мА ~ 500 мАпри U = 20 В
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку
IG
Вхідна ємність польового транзистора
C11
125 пФ
Прохідна ємність
C12
6 пФ
Постійна напруга між затвором та стоком
UGD
<60 В
Постійна напруга між затвором та витоком
UGS
<25 В
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<50 В
Постійний струм стоку
IDSS
<6.5 А<4 А<5 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch