КП814Б

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		КП814А	КП814Б	КП814В	КП814Г	КП814Д	КП814Е	КП814Ж	КП814И	КП814К	КП814Л	КП814М	КП814Н	КП814П	КП814Р	КП814С	КП814Т	КП814У	КП814Ф
Коефіцієнт шума	N_F
Крутизна характеристики польового транзистора	S1-S2/I	1300 ~ 3000при Iс = 2.5 А
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку	I_G
Постійна напруга між затвором та витоком	U_GS	<25 В
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<300 В	<300 В	<400 В	<400 В	<500 В	<500 В	<600 В	<600 В	<700 В	<700 В	<800 В	<800 В	<900 В	<900 В	<950 В	<950 В	<1 кВ	<1 кВ
Постійний струм стоку	I_DSS	<10 А	<12 А	<8 А	<10 А	<7 А	<10 А	<6 А	<8 А	<5 А	<6 А	<3 А	<4 А	<3 А	<3.8 А	<3 А	<3.6 А	<3 А	<3.6 А
Технологія виготовлення польового транзистора	Технологія	MOSFET
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<1 Ом	<800 мОм	<1.5 Ом	<1.2 Ом	<2 Ом	<1.3 Ом	<2.3 Ом	<1.8 Ом	<3 Ом	<2.5 Ом	<4.2 Ом	<3 Ом	<4.5 Ом	<4 Ом	<4.5 Ом	<4 Ом	<4.7 Ом	<4 Ом