КП809А

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		КП809А	КП809Б	КП809В	КП809Г	КП809Д	КП809Е	КП809А1	КП809Б1	КП809В1	КП809Г1	КП809Д1	КП809Е1
Коефіцієнт шума	N_F
Потужність	P	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<50 Вт	<50 Вт	<50 Вт	<50 Вт	<50 Вт	<50 Вт
Крутизна характеристики польового транзистора	S1-S2/I	>1500при Iс = 3 А
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку	I_G	100 мкА
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	3 нФ
Прохідна ємність	C₁₂	220 пФ
Постійна напруга між затвором та витоком	U_GS	<20 В
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<400 В	<500 В	<600 В	<700 В	<800 В	<750 В	<400 В	<500 В	<600 В	<700 В	<800 В	<750 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<25 А	<20 А	<15 А	<15 А	<10 А	<8 А	<25 А	<20 А	<15 А	<15 А	<10 А	<8 А
Технологія виготовлення польового транзистора	Технологія	MOSFET
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<300 мОм	<600 мОм	<1.2 Ом	<1.5 Ом	<1.8 Ом	<2.5 Ом	<300 мОм	<600 мОм	<1.2 Ом	<1.5 Ом	<1.8 Ом	<2.5 Ом