На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | КП805А | КП805Б | КП805В | |
|---|---|---|---|---|
Коефіцієнт шума | NF | |||
Потужність | P | <60 Вт | ||
Крутизна характеристики польового транзистора | S1-S2/I | >2500при Iс = 2 А | ||
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку | IG | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФ | ||
Постійна напруга між затвором та стоком | UGD | <600 В | <500 В | <600 В |
Постійна напруга між затвором та витоком | UGS | <20 В | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | <500 В | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А | ||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2 Ом | <2.5 Ом | <2 Ом |