На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | КП710 | |
|---|---|---|
Коефіцієнт шума | NF | |
Потужність | P | <50 Вт |
Крутизна характеристики польового транзистора | S1-S2/I | >1200при Iс = 1.2 А |
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку | IG | 100 нАпри Uсз = 20В |
Постійна напруга між затвором та витоком | UGS | <20 В |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <400 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <3 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.6 Ом |
Імпульсний струм стоку | IDSS-I | <13 А |