КП709

КП709, КП709А, КП709Б

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКП709АКП709Б
Коефіцієнт шума
NF
Потужність
P
<75 Вт
Крутизна характеристики польового транзистора
S1-S2/I
>2000при Iс = 2 А
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку
IG
1 мкА
Вхідна ємність польового транзистора
C11
650 пФ
Прохідна ємність
C12
70 пФ
Постійна напруга між затвором та витоком
UGS
<20 В
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<600 В
Постійний струм стоку
IDSS
<4 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2 Ом<2.5 Ом