На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | КП307А | КП307Б | КП307В | КП307Г | КП307Д | КП307Е | КП307Ж | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Коефіцієнт шума | NF | 6 дБпри f = 0.4 ГГц | 6 дБпри f = 0.4 ГГц | |||||
Потужність | P | <250 мВт | ||||||
Крутизна характеристики польового транзистора | S1-S2/I | 4 ~ 9при Uси = 10 В | 5 ~ 10при Uси = 10 В | 5 ~ 10при Uси = 10 В | 6 ~ 12при Uси = 10 В | 6 ~ 12при Uси = 10 В | 3 ~ 8при Uси = 10 В | >4при Uси = 10 В |
Початковий струм стоку польового транзистора | I01-I02 | 3 А ~ 9 Апри U = 10 В | 5 А ~ 15 Апри U = 10 В | 5 А ~ 15 Апри U = 10 В | 8 А ~ 24 Апри U = 10 В | 8 А ~ 24 Апри U = 10 В | 1.5 А ~ 5 Апри U = 10 В | 3 А ~ 25 Апри U = 10 В |
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку | IG | 1 нАпри Uсз = 10В | 1 нАпри Uсз = 10В | 1 нАпри Uсз = 10В | 1 нАпри Uсз = 10В | 1 нАпри Uсз = 10В | 1 нАпри Uсз = 10В | 100 пАпри Uсз = 10В |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5 пФ | ||||||
Прохідна ємність | C12 | 1.5 пФ | ||||||
Постійна напруга між затвором та стоком | UGD | <27 В | ||||||
Постійна напруга між затвором та витоком | UGS | <27 В | ||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <27 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <25 мА | ||||||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | JFET | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||