КП303Б

КП303, КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		КП303А	КП303Б	КП303В	КП303Г	КП303Д	КП303Е	КП303Ж	КП303И
Коефіцієнт шума	N_F					4 дБпри f = 0.1 ГГц	4 дБпри f = 0.1 ГГц
Потужність	P	<200 мВт
Крутизна характеристики польового транзистора	S1-S2/I	1 ~ 4при Iс = 10 мА	1 ~ 4при Iс = 10 мА	2 ~ 5при Iс = 10 мА	3 ~ 7при Iс = 10 мА	>2.6при Iс = 10 мА	>4при Iс = 10 мА	1 ~ 4при Iс = 10 мА	2 ~ 6при Iс = 10 мА
Початковий струм стоку польового транзистора	I₀₁-I₀₂	500 мА ~ 2.5 Апри U = 10 В	500 мА ~ 2.5 Апри U = 10 В	1.5 А ~ 5 Апри U = 10 В	3.5 А ~ 12 Апри U = 10 В	3 А ~ 9 Апри U = 10 В	5 А ~ 20 Апри U = 10 В	300 мА ~ 3 Апри U = 10 В	1.5 А ~ 5 Апри U = 10 В
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку	I_G	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	100 пАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	5 нАпри Uсз = 10В	5 нАпри Uсз = 10В
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	6 пФ
Прохідна ємність	C₁₂	2 пФ
Постійна напруга між затвором та стоком	U_GD	<30 В
Постійна напруга між затвором та витоком	U_GS	<30 В
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<25 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<20 мА
Технологія виготовлення польового транзистора	Технологія	JFET
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch