КП302АМ

КП302, КП302А, КП302Б, КП302В, КП302Г, КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		КП302А	КП302Б	КП302В	КП302Г	КП302АМ	КП302БМ	КП302ВМ	КП302ГМ
Коефіцієнт шума	N_F	3 дБпри f = 1КГц				3 дБпри f = 1КГц
Потужність	P	<300 мВт
Крутизна характеристики польового транзистора	S1-S2/I	5 ~ 15при Iс = 7 мА	7 ~ 17при Iс = 7 мА	(не задано)	>5при Iс = 7 мА	5 ~ 15при Iс = 7 мА	7 ~ 17при Iс = 7 мА	(не задано)	>5при Iс = 7 мА
Початковий струм стоку польового транзистора	I₀₁-I₀₂	3 А ~ 24 Апри U = 7 В	18 А ~ 43 Апри U = 7 В	33 А ~ 80 Апри U = 10 В	>15 Апри U = 7 В	>3 Апри U = 7 В	18 А ~ 43 Апри U = 7 В	33 А ~ 80 Апри U = 10 В	>15 Апри U = 7 В
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку	I_G	10 нАпри Uсз = 10В
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	20 пФ
Прохідна ємність	C₁₂	8 пФ
Постійна напруга між затвором та стоком	U_GD	<20 В	<20 В	<20 В	<10 В	<20 В	<20 В	<20 В	<10 В
Постійна напруга між затвором та витоком	U_GS	<10 В
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<20 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<24 мА	<43 мА	(не задано)	(не задано)	<24 мА	<43 мА	(не задано)	(не задано)
Технологія виготовлення польового транзистора	Технологія	JFET
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch