На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | КП302А | КП302Б | КП302В | КП302Г | КП302АМ | КП302БМ | КП302ВМ | КП302ГМ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Коефіцієнт шума | NF | 3 дБпри f = 1КГц | 3 дБпри f = 1КГц | ||||||
Потужність | P | <300 мВт | |||||||
Крутизна характеристики польового транзистора | S1-S2/I | 5 ~ 15при Iс = 7 мА | 7 ~ 17при Iс = 7 мА | (не задано) | >5при Iс = 7 мА | 5 ~ 15при Iс = 7 мА | 7 ~ 17при Iс = 7 мА | (не задано) | >5при Iс = 7 мА |
Початковий струм стоку польового транзистора | I01-I02 | 3 А ~ 24 Апри U = 7 В | 18 А ~ 43 Апри U = 7 В | 33 А ~ 80 Апри U = 10 В | >15 Апри U = 7 В | >3 Апри U = 7 В | 18 А ~ 43 Апри U = 7 В | 33 А ~ 80 Апри U = 10 В | >15 Апри U = 7 В |
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку | IG | 10 нАпри Uсз = 10В | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 20 пФ | |||||||
Прохідна ємність | C12 | 8 пФ | |||||||
Постійна напруга між затвором та стоком | UGD | <20 В | <20 В | <20 В | <10 В | <20 В | <20 В | <20 В | <10 В |
Постійна напруга між затвором та витоком | UGS | <10 В | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <24 мА | <43 мА | (не задано) | (не задано) | <24 мА | <43 мА | (не задано) | (не задано) |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | JFET | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||