На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | КПС203А1 | КПС203Б1 | КПС203В1 | КПС203Г1 | |
|---|---|---|---|---|---|
Коефіцієнт шума | NF | ||||
Потужність | P | <30 мВт | |||
Крутизна характеристики польового транзистора | S1-S2/I | >0.5при Uси = 10 В | >0.5при Uси = 10 В | >0.65при Uси = 10 В | >1при Uси = 10 В |
Початковий струм стоку польового транзистора | I01-I02 | 250 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В | 250 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В | 350 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В | 1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В |
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку | IG | 600 пАпри Uсз = 10В | 600 пАпри Uсз = 10В | 1 нАпри Uсз = 10В | 1 нАпри Uсз = 10В |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6 пФ | |||
Прохідна ємність | C12 | 2 пФ | |||
Постійна напруга між затвором та стоком | UGD | <20 В | |||
Постійна напруга між затвором та витоком | UGS | <500 мВ | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <15 В | |||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | JFET | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||