2ПС104Б

КПС104, 2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д, 2ПС104Е, КПС104Ж, КПС104И, КПС104К, КПС104Л

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		2ПС104А	2ПС104Б	2ПС104В	2ПС104Г	2ПС104Д	2ПС104Е	КПС104Ж	КПС104И	КПС104К	КПС104Л
Коефіцієнт шума	N_F
Потужність	P	<45 мВт
Крутизна характеристики польового транзистора	S1-S2/I	>0.35при Uси = 10 В	>0.35при Uси = 10 В	>0.65при Uси = 10 В	>1при Uси = 10 В	>1при Uси = 10 В	>0.65при Uси = 10 В	>0.85при Uси = 10 В	>0.85при Uси = 10 В	>1.05при Uси = 10 В	>1.05при Uси = 10 В
Початковий струм стоку польового транзистора	I₀₁-I₀₂	100 мА ~ 800 мАпри U = 10 В	100 мА ~ 800 мАпри U = 10 В	350 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В	1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В	1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В	350 мА ~ 3 Апри U = 10 В	600 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В	600 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В	1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В	1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В
Струм витоку затвора при з'єднаних стоку та витоку	I_G	300 пАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	300 пАпри Uсз = 10В	100 пАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	100 пАпри Uсз = 10В	1.1 нАпри Uсз = 10В
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	4.5 пФ
Прохідна ємність	C₁₂	1.5 пФ
Постійна напруга між затвором та стоком	U_GD	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<20 В	<20 В	<20 В	<20 В
Постійна напруга між затвором та витоком	U_GS	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<25 В	<25 В	<25 В	<25 В	<25 В	<25 В	<15 В	<15 В	<15 В	<15 В
Технологія виготовлення польового транзистора	Технологія	JFET
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch