КТ896

КТ896, КТ896А, КТ896Б, КТ896В

Кремнієвий складений транзистор для роботи в ключових і лінійних схемах

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ896АКТ896БКТ896В
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<100 В<80 В<60 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В<40 В<30 В
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
750 ~ 18000
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<2 мА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<10 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<2 дБ
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<125 Вт