КТ837А

КТ837, КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф

Кремнієвий транзистор великої потужності для застосування в підсилювачах і перемикаючих пристроях

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ837АКТ837БКТ837ВКТ837ГКТ837ДКТ837ЕКТ837ЖКТ837ИКТ837ККТ837ЛКТ837МКТ837НКТ837ПКТ837РКТ837СКТ837ТКТ837УКТ837Ф
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<80 В<80 В<80 В<60 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В<80 В<80 В<80 В<80 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<80 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В<30 В<30 В<30 В<60 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В<30 В<30 В<30 В
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
10 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 150
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<150 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<1 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<2.5 дБ<2.5 дБ<2.5 дБ<900 мдБ<900 мдБ<900 мдБ<500 мдБ<500 мдБ<500 мдБ<2.5 дБ<2.5 дБ<2.5 дБ<900 мдБ<900 мдБ<900 мдБ<500 мдБ<500 мдБ<500 мдБ
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<30 Вт