КТ835А

КТ835, КТ835А, КТ835Б

Кремнієвий транзистор великої потужності для роботи в ключових підсилювачах потужності, вторинних джерелах живлення, підсилювачах і перетворювачах

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ835АКТ835Б
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<30 В<45 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В<45 В
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>2510 ~ 100
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<100 мкА<150 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<1 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<350 мдБ
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<25 Вт