КТ829Б

КТ829, КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Кремнієвий складений транзистор великої потужності для роботи в підсилювачах низької частоти, ключових схемах

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ829АКТ829БКТ829ВКТ829Г
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<12 А
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<100 В<80 В<80 В<45 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В<80 В<60 В<45 В
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>750
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<200 мкА<50.2 мА<200 мкА<200 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<2 дБ
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<60 Вт