КТ825

КТ825, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е

Кремнієвий складений транзистор великої потужності для роботи в підсилювачах низької частоти, імпульсних підсилювачах потужності, стабілізаторах струму і напруги, повторителях, перемикачах, в електронних системах управління, в схемах автоматики і захисту

Documents

Опис

Параметри

Параметр2Т825А2Т825Б2Т825ВКТ825ГКТ825ДКТ825Е
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<40 А<40 А<40 А<30 А<30 А<30 А
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<100 В<80 В<60 В<90 В<60 В<30 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В<80 В<60 В<90 В<60 В<30 В
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
500 ~ 18000750 ~ 18000750 ~ 18000750 ~ 18000750 ~ 18000750 ~ 18000
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<1 мА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<2 дБ
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<160 Вт<160 Вт<160 Вт<125 Вт<125 Вт<125 Вт