2Т819А

КТ819, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Кремнієвий транзистор великої потужності для роботи в підсилювачах низької частоти, операційних і диференціальних підсилювачах, перетворювачах і імпульсних схемах

Documents

Паспорт КТ819

Опис

Параметри

Параметр		КТ819А	КТ819Б	КТ819В	КТ819Г	КТ819АМ	КТ819БМ	КТ819ВМ	КТ819ГМ	2Т819А	2Т819Б	2Т819В
Імпульсний струм колектора транзистора	I_C-i	<15 А	<15 А	<15 А	<15 А	<20 А	<20 А	<20 А	<20 А	<20 А	<20 А	<20 А
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера	U_CBO	<40 В	<50 В	<70 В	<100 В	<40 В	<50 В	<70 В	<100 В	<100 В	<80 В	<60 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<40 В	<50 В	<70 В	<100 В	<40 В	<50 В	<70 В	<100 В	<100 В	<80 В	<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<1.5 Вт	<1.5 Вт	<1.5 Вт	<1.5 Вт	<2 Вт	<2 Вт	<2 Вт	<2 Вт	<3 Вт	<3 Вт	<3 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	15 ~ 225	20 ~ 225	15 ~ 225	12 ~ 225	15 ~ 225	20 ~ 225	15 ~ 225	12 ~ 225	20 ~ 225	20 ~ 225	20 ~ 225
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера	I_CB-R	<1 мА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<3 МГц
Коефіцієнт шума	N_F	<2 дБ	<2 дБ	<2 дБ	<2 дБ	<2 дБ	<2 дБ	<2 дБ	<2 дБ	<1 дБ	<1 дБ	<1 дБ
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	PNP	PNP	PNP
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом	P_C-HS	<60 Вт	<60 Вт	<60 Вт	<60 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт	<100 Вт