КТ816А

КТ816, КТ816А, КТ816А2, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г

Кремнієвий транзистор великої потужності для роботи в підсилювачах низької частоти, операційних і диференціальних підсилювачах, перетворювачах і імпульсних схемах

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ816АКТ816А2КТ816БКТ816ВКТ816Г
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<6 А
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<40 В<40 В<45 В<80 В<100 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В<40 В<45 В<60 В<90 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
25 ~ 275>20025 ~ 27525 ~ 27525 ~ 275
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<100 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<1 дБ<600 мдБ<1 дБ<1 дБ<1 дБ
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<25 Вт