КТ808АМ

КТ808, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ

Кремнієвий транзистор великої потужності для роботи в ключових схемах, генераторів рядкової розгортки, електронних регуляторів напруги

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ808АКТ808АМКТ808БМКТ808ВМКТ808ГМ
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<120 В<120 В<100 В<80 В<70 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<120 В<120 В<100 В<80 В<70 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<5 Вт(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
10 ~ 5020 ~ 12520 ~ 12520 ~ 12520 ~ 125
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<3 мА<2 мА<2 мА<2 мА<2 мА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<7.2 МГц<8 МГц<8 МГц<8 МГц<8 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<2.5 дБ
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Імпульсна напруга колектор-база
UCBO-i
<250 В<250 В<160 В<135 В<80 В
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<50 Вт<60 Вт<60 Вт<60 Вт<60 Вт
Імпульсна напруга між колектором та емітером транзистора при розімкнутій базі
UCEO-i
<250 В<250 В<160 В<135 В<80 В