Параметр | КТ685А | КТ685Б | КТ685В | КТ685Г | КТ685д | КТ685Е | КТ685Ж | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера | UCBO | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <30 В | <30 В | <30 В |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | <60 В | <40 В | <60 В | <25 В | <25 В | <25 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <600 мВт | ||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | 40 ~ 120 | 40 ~ 120 | 100 ~ 300 | 100 ~ 300 | 70 ~ 200 | 40 ~ 120 | 100 ~ 300 |
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера | ICB-R | <20 нА | <10 нА | <20 нА | <10 нА | <20 нА | <20 нА | <20 нА |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <300 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Коефіцієнт шума | NF | <400 мдБ | <400 мдБ | <400 мдБ | (не задано) | <300 мдБ | <300 мдБ | <300 мдБ |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |